АКЦИЯ!
Купи готовую работу
и получи 100 р. на счет
Содержание
Задача 1. Ответить на следующие вопросы: 3
Вопрос 2. Что определяют дефекты в строении кристаллической решетки? 3
Вопрос 6. Какими основными параметрами определяются свойства проводников электрического тока? 5
Вопрос 22. Приведите физико-химические и электрические свойства германия и область его применения 5
Вопрос 29. Какими параметрами оценивают электропроводимость диэлектриков? 8
Вопрос 43. Как выглядит структура ферромагнитных веществ? 8
Задача 2. Поляризация двухслойного диэлектрика 9
Задача 3. Проводниковые материалы золото и кадмий 14
Задача 4. Полупроводниковые материалы германий и оксид цинка 19
Задача 5. Ферромагнитные материалы 24
Список используемой литературы 28
Задача 1. Ответить на следующие вопросы:
Вопрос 2. Что определяют дефекты в строении кристаллической решетки?
Вопрос 6. Какими основными параметрами определяются свойства проводников электрического тока?
Вопрос 22. Приведите физико-химические и электрические свойства германия и область его применения
Вопрос 29. Какими параметрами оценивают электропроводимость диэлектриков?
Задача 2. Поляризация двухслойного диэлектрика
Изоляционная конструкция высокого напряжения состоит из двух слоев различных изоляционных материалов (рис. 5, а). Материал первого слоя имеет относительную диэлектрическую проницаемость r1, удельное объемное сопротивление ρv1, удельное поверхностное сопротивление ρs1, тангенс угла диэлектрических потерь и толщину h1. Материал второго слоя имеет соответственно параметры r2, ρv2, ρs2, , h2. Изоляционная конструкция находится между двумя электродами прямоугольной формы длиной a и шириной b. К электродам прикладывается постоянное напряжение U. Исходные данные приведены в таблицах:
|
Название величин |
Значение
|
|
Параметры диэлектриков |
Значение
|
|
Длина а, мм |
300 |
|
Относительная диэлектрическая проницаемость er1 er2 |
1,9 4,0 |
|
Ширина b, мм |
200 |
|
Удельное объемное сопротивление Ом∙м Ом∙м |
3,0 6,4 |
|
Толщина h1, мм h2, мм |
1,5 1,0 |
|
Удельное поверхностное сопротивление Ом Ом |
4,0 9 |
|
Подводимое напряжение U, кВ |
1,4 |
|
Тангенс угла диэлектрических потерь при частоте 50 Гц |
1,8 2,8 |
Требования к задаче:
1. Определить параметры R1, R2, C1, C2 схемы замещения, показанной на рис. 5, в.
2. Определить установившийся сквозной ток утечки Iy при приложении к электродам постоянного напряжения U.
3. Рассчитать и начертить зависимость тока i, потребляемого от источника постоянного напряжения U от времени t после подключения его к изоляционной конструкции.
4. По известной зависимости тока от времени рассчитать и начертить зависимость сопротивления R изоляционной конструкции от времени после приложения постоянного напряжения.
5. Определить значения напряжений на каждом слое в установившемся режиме.
6. Рассчитать значение заряда абсорбции на границе раздела двух слоев.
7. Рассчитать и построить зависимость напряжения саморазряда на каждом слое и на всей конструкции от времени после отключения напряжения.
8. Рассчитать диэлектрические потери при приложении к диэлектрику постоянного напряжения U и синусоидального напряжения с действующим значением U и частотой 50 Гц.
Решение:
Задача 3. Проводниковые материалы серебро и молибден
1. Укажите свойства заданных проводниковых материалов, области их применения, кратко опишите материалы.
2. Приведите основные параметры проводников, поясните их физический смысл и укажите численные значения параметров заданных материалов.
Серебро (Ag)
Молибден (Мо)
Задача 4. Полупроводниковые материалы селен и антимонид индия
1. Укажите свойства заданных полупроводниковых материалов, области их применения, кратко опишите материалы.
2. Приведите численные значения основных параметров заданных материалов.
Селен (Se)
Антимонид индия (InSb)
Задача 5. Ферромагнитные материалы
В таблице даны два различных магнитных материала и приведены для них числовые значения магнитной индукции В и напряженности Н магнитного поля.
1. Назовите основные параметры заданных магнитных материалов и кратко поясните их физический смысл.
2. Приведите примерные числовые значения основных параметров заданных магнитных материалов.
3. Назовите основные области использования данных материалов.
4. Рассчитайте и постройте зависимость относительной магнитной проницаемости μ от напряженности магнитного поля Н для магнитомягкого материала.
5. Рассчитайте и постройте зависимость магнитной энергии магнитной индукции от магнитной индукции для магнитотвердого материала, совместив график с зависимостью В=ƒ(Н).
Таблица
|
Наименование магнитомягкого материала |
Параметры |
Значения Н, кА/м; В, Тл |
|
Феррит 2000НН |
Н |
0,01; 0,03; 0,05; 0,1; 0,3; 05 |
|
В |
0,07; 0,15; 0,18; 0,2; 0,225; 0,23 |
|
|
Феррит 07БИ |
Н |
0; 40; 80; 120; 130 |
|
В |
0,18; 0,15; 0,09; 0,02; 0 |
Примечание: Величина Н имеет отрицательное значение для магнитотвердого материала.
Решение:
Список используемой литературы
1. Богородицкий Н.П. и др. Электротехнические материалы Учебник для вузов/ Богородицкий Н.П., Пасынков В.В., Тареев Б.М. - 7-е изд., перераб. и доп. - Л.: Энергоатомиздат, 1985. – С. 186-228; 229-266
2. Большая энциклопедия Кирилла и Мефодия - http://megabook.ru
3. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники Учеб. для студ. вузов по спец. электронной техники. 5-е изд. — СПб.: Изд-во «Лань», 2003. - С. 56-90; 90-181
4. Дефекты кристаллической решетки металла [Электронный ресурс] Режим допуска - http://twt.mpei.ac.ru/ochkov/TM/lection1.htm#Лекция№1
5. Технология конструкционных электротехнических материалов / Классификация магнитных материалов и требования к ним / Классификация магнитных материалов и требования к ним [Электронный ресурс] Режим допуска - http://xn----8sbnaarbiedfksmiphlmncm1d9b0i.xn--p1ai/ (Электротехнический портал для студентов ВУЗов и инженеров
6. http://3ys.ru – Библиотека «Методичкус»
Вы можете убедиться в качестве данной работы. Часть курсовой представлена ниже:
